UG4SC 750 V 8,4 mΩ Combo-FET

I Combo-FET UG4SC da 750 V e 8,4 mΩ di Onsemi combinano un JFET SiC da 750 V e un MOSFET Si a basso voltaggio in un unico package TO-247-4L. Questo design consente un interruttore normalmente spento, beneficiando al contempo della bassissima resistenza in conduzione [RDS(on)] e della robustezza di un JFET SiC normalmente acceso. La serie di UG4SC Combo-FET di Onsemi è ideale per la commutazione ad alta energia nella protezione del circuito. Per la conversione di potenza in modalità commutata, i dispositivi offrono un accesso separato al gate per il JFET e il MOSFET, migliorando il controllo della velocità e semplificando il collegamento in parallelo di più dispositivi.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Configurazione Vds - Tensione di rottura drain-source Vgs - Tensione di rottura gate-source Corrente drain-source a Vgs=0 Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione
onsemi JFET UG4SC075005L8S 1.793A magazzino
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Nastrati: 2.000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4 577A magazzino
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4 345A magazzino
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4 558A magazzino
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube