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BFR 193 E6327

Name: Infineon BFR 193 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR193E6327
Price: 0.11 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

726-BFR193E6327

N. produttore:

BFR 193 E6327

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Transistor RF bipolari NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

Scheda dati:

BFR 193 E6327 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Transistor RF bipolari
RoHS::
Serie:	BFR193
Tipo di transistor:	Bipolar
Tecnologia:	Si
Polarità transistor:	NPN
Frequenza di lavoro:	8 GHz
Collettore DC/Guadagno base hfe Min:	70
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	12 V
Tensione emettitore-base VEBO:	2 V
Corrente continua collettore:	80 mA
Temperatura di lavoro minima:	- 65 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Configurazione:	Single
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-23
Qualifica:	AEC-Q100
Confezione:	Reel
Marchio:	Infineon Technologies
Corrente CC massima collettore:	80 mA
Pd - Dissipazione di potenza:	580 mW
Tipo di prodotto:	RF Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Alias n. parte:	BFR193E6327XT SP000011056 BFR193E6327HTSA1
Peso unità:	60 mg

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Transistor RF Infineon

I transistor RF Infineon includono amplificatori a basso rumore e transistor a elevata linearità. I dispositivi nella categoria a basso rumore sono basati sulla tecnologia bipolare al silicio. La frequenza di transizione moderata di <20 GHz fornisce semplicità d'uso e stabilità. La tensione di rottura può supportare in modo sicuro tensione di alimentazione di Breakdown 5 V. Questi transistor sono utilizzabili con AM su VHF/UHF fino a 14 GHz.

I transistor a elevata linearità forniscono OIP3 (punto di intercettazione di uscita di terzo ordine) superiore a 29 dBm. Sono basati sulla tecnologia bipolare al silicio a volume levato e la tecnologia SiGe:C di Infineon per le cifre di rumore migliori del settore. Questi dispositivi sono ideali per driver, preamplificatori e amplificatori a buffer.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.