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NTHL022N120M3S

Name: onsemi NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL022N120M3S
Price: 14.93 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTHL022N120M3S

N. produttore:

NTHL022N120M3S

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1

Scheda dati:

NTHL022N120M3S Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	14,93 €	14,93 €
	10,87 €	108,70 €
	10,60 €	1.060,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	68 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	30 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.4 V
Qg - Carica del gate:	139 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	352 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Tempo di caduta:	14 ns
Transconduttanza diretta - Min:	34 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	50 ns
Serie:	NTHL022N120M3S
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	44 ns
Tipico ritardo di accensione:	19 ns

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Scheda dati

NTHL022N120M3S Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M3S

I MOSFET EliteSiC M3S di onsemi sono soluzioni per applicazioni di commutazione ad alta frequenza che utilizzano topologie hard-switch. I MOSFET M3S onsemi sono progettati per ottimizzare prestazioni ed efficienza. Il dispositivo presenta una notevole riduzione del 40% circa delle perdite di commutazione totali (Etot) rispetto ai corrispondenti M1 da 1.200 V e 20 mΩ. I MOSFET M3S EliteSiC sono perfettamente adatti per varie applicazioni, inclusi i sistemi di energia solare, i caricatori di bordo e le stazioni di carica per veicoli elettrici (EV).

Soluzioni per la conservazione dell'energia

I sistemi di accumulo di energia (ESS) di onsemi immagazzinano l'elettricità proveniente da varie fonti energetiche, come carbone, nucleare, eolica e solare, in diverse forme, tra cui batterie (elettrochimiche), aria compressa (meccanica) e sali fusi (termici). Questa soluzione si concentra sui sistemi di conservazione dell'energia della batteria collegati ai sistemi di inverter solare.

MOSFET al carburo di silicio EliteSiC NTHL022N120M3S

Il MOSFET al carburo di silicio EliteSiC NTHL022N120M3S di onsemi è un dispositivo planare da 1200 V, M3S ottimizzato per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con un'unità di tensione del gate negativa e con picchi di spegnimento sul gate. NTHL022N120M3S offre prestazioni ottimali se azionata con un gate drive da 18 V (funziona anche con un gate drive da 15 V). Disponibile in un package TO-247-3L, NTHL022N120M3S è ideale per applicazioni industriali, UPS/ESS, solari e caricabatterie di veicoli elettrici.