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STP80N450K6

Name: STMicroelectronics STP80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N450K6
Price: 3.8 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STP80N450K6

N. produttore:

STP80N450K6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Scheda dati:

STP80N450K6 Scheda dati (PDF)

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	3,80 €	3,80 €
	2,05 €	20,50 €
	1,85 €	185,00 €
	1,52 €	760,00 €
	1,40 €	1.400,00 €
	1,37 €	3.425,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	10 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	450 mOhms
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N da 800 V STP80N450K6

Il MOSFET di potenza a canale N da 800 V STP80N450K6 STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione progettato utilizzando la recente tecnologia MDmesh K6. Questa tecnologia si basa su 20 anni di esperienza STMicroelectronics nella tecnologia Super Junction. Il risultato è la migliore resistenza in conduzione della categoria per area e la carica del gate per applicazioni che richiedono densità di potenza superiore e alta efficienza.

MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

I MOSFET di potenza MDmesh K6 a canale N di STMicroelectronics sono protetti da Zener e sottoposti a test a valanga al 100%. Questi MOSFET di potenza presentano una tensione di rottura drain-source minima di 800 V, una tensione gate-source di ±30 V e un intervallo di temperatura di giunzione operativa compreso tra -55 °C e 150 °C. I MOSFET di potenza MDmesh K6 presentano inoltre una pendenza di tensione di recupero del diodo di picco di 5 V/ns, una pendenza di corrente di recupero del diodo di picco di 100 A/µs e una robustezza MOSFET dv/dt di 120 V/ns. Le applicazioni tipiche includono notebook e AIO, convertitori flyback, adattatori per tablet e illuminazione a LED.