MOSFET CoolSiC™

I MOSFET Infineon CoolSiC™ sono costruiti su un processo di semiconduttore trench all'avanguardia ottimizzato per consentire sia le perdite più basse nell'applicazione che la massima affidabilità durante il funzionamento. Il portafoglio discreto CoolSiC in alloggiamenti TO e SMD è disponibile nelle classi di tensione 650 V, 1200 V e 1700 V, con valori di resistenza da 27 mΩ fino a 1000 mΩ. La tecnologia trench CoolSiC consente un set di parametri flessibile, utilizzato per l’implementazione di funzionalità specifiche per applicazioni nei rispettivi portafogli di prodotti. Queste caratteristiche includono tensioni gate-source, specifiche a valanga, capacità di cortocircuito o diodo del corpo interno classificato per la commutazione hard.