NTMC083NP10M5L

onsemi
863-NTMC083NP10M5L
NTMC083NP10M5L

Produttore:

Descrizione:
MOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
N-Channel, P-Channel
2 Channel
100 V
4.5 A, 3.6 A
83 mOhms, 131 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V, 4 V
3 nC, 8.4 nC
- 55 C
+ 150 C
3.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: CN
Tipo di prodotto: MOSFETs
Serie: NTMC083NP10M5L
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza a doppio canale N e P NTMC083NP10M5L

Il MOSFET di potenza a doppio canale N e P NTMC083NP10M5L di onsemi è progettato con bassa carica di gate (Qg) e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver. Questo MOSFET presenta una bassa resistenza in conduzione drain-to-source (RDS(on)) per ridurre al minimo le perdite di conduzione. Questo dispositivo è progettato in modo compatto con un ingombro standard di 5mm x 6mm e non è protetto da ESD. Il MOSFET di potenza NTMC083NP10M5L è ideale per utensili elettrici, aspirapolvere a batteria, veicoli aerei (UAV)/droni senza equipaggio, movimentazione dei materiali, azionamento di motori e domotica.