Transistor di potenza CoolMOS P7 da 600 V

I transistor di potenza CoolMOS P7 da 600 V Infineon sono dispositivi di 7° generazione che utilizzano la tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione. I transistor sono progettati secondo il principio di superjunction (SJ) introdotto da Infineon Technologies. Il CoolMOS P7 da 600 V combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione veloce con un'eccellente facilità d'uso. Il P7 da 600 V presenta una tendenza al riverbero molto bassa, un'eccezionale robustezza del diodo del corpo e una commutazione solida nonché un'eccellente capacità ESD. Le perdite di commutazione e conduzione estremamente basse rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti e compatte, e con maggiore dissipazione.
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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7.565A magazzino
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Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 40 C + 150 C 111 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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2.450A magazzino
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Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 149 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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947A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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5.764A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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310A magazzino
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 164 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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1.067A magazzino
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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370A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 374 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
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741A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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783A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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611A magazzino
1.00010/03/2026 previsto
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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980A magazzino
2.00016/02/2026 previsto
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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263A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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642A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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1.593A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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862A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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1.509A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
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363A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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1.795A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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263A magazzino
12.50016/04/2026 previsto
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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3.012A magazzino
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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95A magazzino
7.50002/03/2026 previsto
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 9 nC - 40 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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1.081A magazzino
3.00003/09/2026 previsto
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Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 53 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 40 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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4.741A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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648A magazzino
Min: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
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598A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Tube