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NTTFS6H850NLTAG

Name: onsemi NTTFS6H850NLTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS6H850NLTAG
Price: 1.25 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTTFS6H850NLTAG

N. produttore:

NTTFS6H850NLTAG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

Scheda dati:

NTTFS6H850NLTAG Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,25 €	1,25 €
	0,797 €	7,97 €
	0,548 €	54,80 €
	0,436 €	218,00 €
	0,427 €	427,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	0,354 €	531,00 €
	0,325 €	975,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WDFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	64 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	8.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	26 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	73 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	64.1 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	21 ns
Serie:	NTTFS6H850NL
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	26 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns
Peso unità:	29,570 mg

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Scheda dati

NTTFS6H850NLTAG Scheda dati

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET Trench8

I MOSFET Trench8 di onsemi presentano bassa resistenza massima ON (R_DS(ON), bassissima carica del gate (Q_g) e bassa (Q_g) x R_DS(ON), una figura di merito (FOM) fondamentale per i MOSFET utilizzata nelle applicazioni di conversione di potenza. Offrendo prestazioni di commutazione ottimizzate basate su tecnologia T6, i MOSFET Trench8 offrono una riduzione dal 35% al 40% i Q_g e Q_oss rispetto alle serie Trench6. I MOSFET Trench8 di onsemi sono disponibili in una vasta gamma di tipi di package per una maggiore flessibilità nella progettazione. Per le applicazioni automobilistiche sono disponibili opzioni qualificate AEC-Q101 e PPAP. Molti di questi dispositivi sono offerti in pacchetti con flangia bagnabile, consentendo l'ispezione ottica automatizzata (AOI).

NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET offers a low drain-to-source ON-Resistance and low capacitance to minimize driver losses. The NTTFS6H850NL MOSFET features a small 3.3mm x 3.3mm footprint for compact and efficient designs and is Pb-free and RoHS compliant.