IXBH42N170 & IXBT42N170 IGBT Power Transistors

IXBH42N170 and IXBT42N170 IGBT Power Transistors are BIMOSFET™ Monolithic Bipolar MOS Transistors featuring high blocking voltage, fast switching, a high current handling capability, and MOS Gate turn-on for drive simplicity. IXYS IGBT Power Transistors are useful for a wide variety of applications, including AC motor speed control, uninterruptible power supplies (UPS), switched-mode and resonant-mode power supplies, capacitor discharge circuits, laser generators, AC switches, and pulser circuits.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
IXYS IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
Scheda dati
3.229A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBTs BIMOSET 42A 1700V
Scheda dati
297A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 42 A 357 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube

IXYS IGBTs 1700V 75A
Scheda dati
302A magazzino
45027/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube