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Qtà RoHS
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Scheda dati
389A magazzino
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ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Scheda dati
695A magazzino
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ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Scheda dati
1.133A magazzino
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ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Scheda dati
102A magazzino
Min: 1
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ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Scheda dati
159A magazzino
Min: 1
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ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Scheda dati
907A magazzino
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ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Scheda dati
46A magazzino
1.35028/10/2026 previsto
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ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Scheda dati
72A magazzino
45022/10/2026 previsto
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Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Scheda dati
24A magazzino
3.150In ordine
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ROHM Semiconductor MOSFET SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Scheda dati
1.190In ordine
Min: 1
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ROHM Semiconductor Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
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