MOSFET e diodi CoolSiC™ al carburo di silicio

I MOSFET e i diodi CoolSiC™ al carburo di silicio di Infineon costituiscono un portafoglio in grado di soddisfare le necessità di generazione, trasmissione e consumo dell'energia più intelligenti ed efficienti. Il portafoglio CoolSiC risponde alle esigenze dei clienti in termini di riduzione delle dimensioni e dei costi in sistemi a potenza media-alta, pur soddisfacendo i più elevati standard di qualità, per garantire lunga durata ed affidabilità ai sistemi. CoolSiC consente ai clienti di raggiungere gli obiettivi di efficienza più rigorosi, riducendo i costi operativi del sistema. La gamma comprende diodi Schottky CoolSiC, moduli ibridi CoolSiC, moduli MOSFET CoolSiC e CI gate driver EiceDRIVER™ per il pilotaggio di dispositivi al carburo di silicio.

Tipi di Semiconduttori discreti

Modifica visualizzazione categoria
Risultati: 69
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Tipo di prodotto Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DIODES 646A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE 1.018A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE 64A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE 441A magazzino
1.00023/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE 962A magazzino
10.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE 28A magazzino
2.50005/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE 229A magazzino
24005/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE 305A magazzino
24023/02/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Diodi e raddrizzatori Schottky CoolSiC Schottky diode 2000 V, 10 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package 5A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 300A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 251A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DIODES
4.978In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.700

SiC Schottky Diodes SMD/SMT HDSOP-10
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE
99702/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE 1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC CHIP/DISCRETE
48011/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
48016/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE
95402/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET Tempo di consegna, se non a magazzino 11 settimane
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies Diodi Schottky SiC SIC DISCRETE Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
Nastrati: 1.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT