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NVBG025N065SC1

Name: onsemi NVBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG025N065SC1
Price: 22.4 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVBG025N065SC1

N. produttore:

NVBG025N065SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

Scheda dati:

NVBG025N065SC1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	106 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	28.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Qg - Carica del gate:	164 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	395 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	27 S
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	19 ns
Serie:	NVBG025N065SC1
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	32 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns

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Scheda dati

NVBG025N065SC1 Scheda dati

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVBG025N065SC1

I MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVBG025N065SC1 di Onsemi offrono prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. L'NVBG025N065SC1 di Onsemi presenta una bassa resistenza in conduzione e un chip compatto che garantisce bassa capacità e carica del gate. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una rapida frequenza di funzionamento, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso R_DS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).