UCC27444QDGNRQ1

Texas Instruments
595-UCC27444QDGNRQ1
UCC27444QDGNRQ1

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta Automotive 4-A dual- channel low-side ga

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Texas Instruments
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
Automotive High-Speed Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
HVSSOP-8
2 Driver
2 Output
4 A, 4 A
4.5 V
18 V
Non-Inverting
11 ns
7 ns
- 40 C
+ 125 C
UCC27444
Marchio: Texas Instruments
Tipo di logica: CMOS, TTL
Corrente di alimentazione operativa: 45 mA
Tensione di uscita: 0 V to 18 V
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max: 50 ns, 52 ns
Spegnimento: No Shutdown
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
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CNHTS:
8542391090
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Gate driver low-side ad alta velocità UCC27442-Q1

Il gate driver low-side ad alta velocità e doppio canale UCC27442-Q1 di Texas Instruments è in grado di azionare efficacemente MOSFET e interruttori GaN. L'UCC27442-Q1 ha una forza di azionamento di picco tipica di 4 A, che riduce i tempi di salita e di discesa degli interruttori, riducendo le perdite di commutazione e aumentando l’efficienza. Il ritardo di propagazione rapido dell'UCC27442-Q1 (18 ns tipico) offre una migliore efficienza dello stadio di potenza migliorando l’ottimizzazione dei tempi morti, l’utilizzo della larghezza di impulso, la risposta del circuito di controllo e le prestazioni transitorie del sistema.

Driver di porta a valle UCC27444/UCC27444-Q1 4A

Il driver di porta a valle UCC27444/UCC27444-Q1 4 A di Texas Instruments è un driver di porta a valle, a doppio canale e ad alta velocità che aziona efficacemente MOSFET e interruttori di alimentazione GaN. UCC27444/UCC27444-Q1 ha una forza di azionamento di picco tipica di 4 A, che riduce i tempi di incremento e riduzione degli interruttori di alimentazione, aumenta l’efficienza e riduce le perdite di commutazione. Il rapido ritardo di propagazione del dispositivo (18 ns tipico) offre una migliore efficienza dello stadio di potenza migliorando l’utilizzo della larghezza di impulso, l’ottimizzazione dei tempi morti, la risposta del circuito di controllo e le prestazioni transitorie del sistema.