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NVMFS4C306NT1G

Name: onsemi NVMFS4C306NT1G
Brand: onsemi
SKU: 698-NVMFS4C306NT1G
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

698-NVMFS4C306NT1G

N. produttore:

NVMFS4C306NT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET TRENCH 30V NCH

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

NVMFS4C306NT1G Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,06 €	2,06 €
	1,32 €	13,20 €
	0,903 €	90,30 €
	0,72 €	360,00 €
	0,659 €	659,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	0,659 €	988,50 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SO-8FL-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	20.6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.1 V
Qg - Carica del gate:	11.6 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	3 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Tempo di caduta:	3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	58 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	28 ns
Serie:	NVMFS4C306N
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	24 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza NVMFS4C306N

I MOSFET di potenza NVMFS4C306N di onsemi offrono tensione drain-source 30 V, 3,4 mΩ R_{DS (ON)} e corrente di drain continua 71 A. Il MOSFET di potenza per il settore automobilistico è disponibile in un package SO8-FL con conduttori piatti da 5 mm x 6 mm sviluppato per progetti compatti ed efficienti.