Driver di gate di lato basso IX4352NEAU

I driver di gate di lato basso IX4352NEAU di IXYS sono progettati specificamente per MOSFET SiC e IGBT ad alta potenza. Questi driver offrono uscite sorgente e sink separate di 9 A e consentono tempi di accensione e spegnimento personalizzati  riducendo al minimo le perdite di commutazione. I driver del gate IX4352NEAU sono integrati con un regolatore di carica negativa interno che fornisce una polarizzazione del gate drive negativa selezionabile dall'utente. Questi driver sono dotati di un circuito di rilevamento della desaturazione che rileva una condizione di sovracorrente del MOSFET SiC. I driver di gate IX4352NEAU sono qualificati AEC-Q100 di grado 1 e disponibili in un package SOIC stretto a 16 pin termicamente migliorato. Le applicazioni tipiche includono caricabatterie di bordo, convertitore DC-DC, stazioni di ricarica per veicoli elettrici, controller del motore e inverter di potenza.