Stadio di potenza integrato serie DrMOS SiC6xx

Gli stadi di potenza integrati DrMOS SiC620 di Vishay Semiconductors sono ottimizzati per applicazioni buck sincrone per offrire prestazioni di densità ad alta corrente, alta efficienza e alta potenza. Inserito nel package MLP proprietario di Vishay da 5 mm x 5 mm, il SiC620 permette ai regolatori di tensione di erogare fino a 60 A di corrente continua per fase.I MOSFET di potenza interni utilizzano la tecnologia Vishay all'avanguardia TrenchFET di 4a gen. con prestazioni leader di settore che riducono notevolmente le perdite di commutazione e conduzione. 

I SiC620 integrano un CI driver di porta MOSFET con funzioni di azionamento a corrente elevata, controllo adattivo dei tempi morti, diodo Schottky di bootstrap e un avviso termico (THWn) che allerta il sistema in caso di eccessiva temperatura di giunzione e di rilevazione di corrente zero per migliorare l'efficienza a basso carico. I driver sono anche compatibili con l'ampia gamma di controller PWM e supportano i PWM a tre stati, logica PWM a 3,3 V (SiC620A)/5 V (SiC620).
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