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RF6L025BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6L025BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6L025BGTCR
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RF6L025BGTCR

N. produttore:

RF6L025BGTCR

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET SOT363 N-CH 60V 2.5A

Scheda dati:

RF6L025BGTCR Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,585 €	0,59 €
	0,36 €	3,60 €
	0,231 €	23,10 €
	0,175 €	87,50 €
	0,157 €	157,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,13 €	390,00 €
	0,12 €	720,00 €
	0,107 €	963,00 €
	0,104 €	2.496,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-363T-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	2.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	91 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	3.1 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3.1 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1.3 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4.8 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	13 ns
Tipico ritardo di accensione:	5.3 ns

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Scheda dati

RF6L025BGTCR Scheda dati

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza RF6L025BG

Il MOSFET di potenza RF6L025BG di ROHM Semiconductor presenta una tensione drain-source di 60 V (V_DSS) e una corrente di drain continua di ±2,5 A (I_D). Questo MOSFET a canale N offre bassa resistenza in conduzione di 91 mΩ (R_{DS (on)}) e dissipazione di potenza di 1 W (P_D). Il MOSFET RF6L025BG opera nell’intervallo di temperatura di conservazione e giunzione da -55 °C a 150 °C, ed è disponibile in un package a montaggio superficiale di dimensioni ridotte e privo di alogeni (TUMT6 o SOT-363T). Questo dispositivo è conforme a RoHS incorpora la placcatura senza piombo. Il MOSFET di potenza RF6L025BG è adatto per commutazione, unità motore e applicazioni di convertitori CC/CC.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.