VTx080 Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers

Vishay General Semiconductor VT1080 and VT3080 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers and VT2080 Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers feature low forward voltage drop, low power losses, and high-efficiency operation. VT1080 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers feature ultra-low forward voltage of 0.49V at IF=3A. VT2080 Trench MOS Barrier Rectifiers offer an ultra-low forward voltage of 0.46V at IF=5A. VT3080 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers feature ultra-low forward voltage of 0.46V at IF=5A. 

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Stile di montaggio
Package/involucro
Configurazione
Tecnologia
If - Corrente diretta
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva
Vf - Tensione diretta
Ifsm - Sovracorrente diretta
Ir - Corrente inversa
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Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Vishay Semiconductors Diodi e raddrizzatori Schottky 10A,80V,TRENCH
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Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Single Si 10 A 80 V 670 mV 100 A 20 uA - 55 C + 125 C Tube
Vishay Semiconductors Diodi e raddrizzatori Schottky 10A,80V,TRENCH
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Min: 8.000
Mult.: 1.000

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Dual Si 5 A 80 V 630 mV 80 A 12 uA - 55 C + 125 C Tube
Vishay Semiconductors Diodi e raddrizzatori Schottky 20A,80V,TRENCH
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Min: 8.000
Mult.: 1.000

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Dual Si 10 A 80 V 670 mV 100 A 20 uA - 55 C + 125 C VT2080x Tube
Vishay Semiconductors Diodi e raddrizzatori Schottky 20A,80V,TRENCH
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Min: 8.000
Mult.: 1.000

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Si 20 A 80 V 800 mV 150 A 30 uA - 55 C + 125 C Tube
Vishay Semiconductors Diodi e raddrizzatori Schottky 30A,80V,TRENCH
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Min: 8.000
Mult.: 1.000

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Dual Si 15 A 80 V 750 mV 150 A 30 uA - 55 C + 125 C Tube
Vishay Semiconductors Diodi e raddrizzatori Schottky 30A,80V,TRENCH
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Min: 8.000
Mult.: 1.000

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Single Dual Anode Si 30 A 80 V 820 mV 200 A 70 uA - 55 C + 125 C Tube