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SCT018W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3-4AG
Price: 13.67 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-SCT018W65G3-4AG

N. produttore:

SCT018W65G3-4AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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Scheda dati:

SCT018W65G3-4AG Scheda dati (PDF)

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	13,67 €	13,67 €
	10,58 €	105,80 €
	10,23 €	1.023,00 €
	9,97 €	5.982,00 €
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3.000	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	HiP-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	55 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	27 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.2 V
Qg - Carica del gate:	77 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 200 C
Pd - Dissipazione di potenza:	398 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	29 ns
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	13 ns
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	64 ns
Tipico ritardo di accensione:	24.5 ns

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CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

MOSFET di potenza 650 V SCTWA90N65G2Vx

I MOSFET di potenza 650 V SCTWA90N65G2Vx di STMicroelectronics sono MOSFET al carburo di silicio (SiC) con valori nominali di 18 mΩ tipici e 119 A. Questi MOSFET di potenza sono disponibili in package HiP247 e HiP247-4. I MOSFET di potenza 650 V SCTWA90N65G2Vx presentano una carica del gate e capacità di ingresso estremamente basse, prestazioni di switching ad alta velocità e un pin di rilevamento del source per una maggiore efficienza. Questi MOSFET sono sviluppati utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di 2^ª generazione di ST. Le applicazioni includono alimentazione per sistemi di energia rinnovabile, convertitori CC/CC ad alta frequenza, stazioni di ricarica, alimentatori a switching, convertitori CC/CC e controllo dei motori industriali.

MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120

I MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120 STMicroelectronics sono prodotti utilizzando materiali a banda larga avanzati e innovativi. Questo consente una resistenza senza pari in stato attivo per unità di area ed eccellenti prestazioni di commutazione praticamente indipendenti dalla temperatura. Le eccellenti proprietà termiche del materiale in SiC e il package esclusivo HiP247™ consentono ai progettisti di utilizzare strutture standard del settore con caratteristiche termiche migliorate in modo significativo. Queste caratteristiche rendono i dispositivi perfettamente adatti per le applicazioni con elevata densità di potenza e a elevata efficienza.
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