Diodi SCHOTTKY ad alta efficienza

I diodi a barriera SCHOTTKY ad alta efficienza di ROHM Semiconductor sono progettati per migliorare il compromesso tra bassa VF e bassa IR. Questi diodi sono caratterizzati da struttura Trench MOS, corrente di picco in avanti di 30 A, elevata affidabilità e bassa capacità. I diodi a barriera SCHOTTKY ad alta efficienza YQ1MM10Ax sono utilizzati in applicazioni come alimentatori di commutazione, diodi di ricircolo e protezione contro la polarità inversa.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Stile di montaggio
Package/involucro
Configurazione
Tecnologia
If - Corrente diretta
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva
Vf - Tensione diretta
Ifsm - Sovracorrente diretta
Ir - Corrente inversa
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Confezione
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 1A SM SCHOTTKY
Scheda dati
2.035A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Schottky Diodes SMD/SMT SOD-123FL-2 Single Si 1 A 100 V 560 mV 30 A 10 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodi e raddrizzatori Schottky RECT 100V 1A SM SCHOTTKY
Scheda dati
6.927In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Schottky Diodes SMD/SMT SOD-123FL-2 Single Si 1 A 100 V 560 mV 30 A 10 uA + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape