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QPD1013SR

Name: Qorvo QPD1013SR
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1013SR
Price: 194.69 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

772-QPD1013SR

N. produttore:

QPD1013SR

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

Scheda dati:

QPD1013SR Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-6
Polarità transistor:	N-Channel
Id - corrente di drain continua:	1.7 A
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Pd - Dissipazione di potenza:	67 W
Marchio:	Qorvo
Configurazione:	Single Triple Drain
Kit di sviluppo:	QPD1013EVB01
Guadagno:	21.8 dB
Tensione drain-gate massima:	65 V
Frequenza di lavoro massima:	2.7 GHz
Frequenza di lavoro minima:	1.2 GHz
Sensibili all’umidità:	Yes
Potenza di uscita:	178 W
Confezione:	Reel
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	QPD1013
Quantità colli di fabbrica:	100
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	HEMT
Alias n. parte:	QPD1013
Peso unità:	7,792 g

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Scheda dati

QPD1013SR Scheda dati (PDF)

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TARIC:: 8517620000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

QPD1013 GaN RF Transistor

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz. This single-stage unmatched power transistor is a 150W discrete GaN on SiC device. The QPD1013 RF transistor features an over-molded plastic package and is suitable for numerous applications such as military radar, land mobile, and military radio communications.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.