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LMG2100R026VBNR

Name: Texas Instruments LMG2100R026VBNR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2100R026VBNR
Price: 10.26 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-LMG2100R026VBNR

N. produttore:

LMG2100R026VBNR

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

Driver di porta 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

LMG2100R026VBNR Scheda dati

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	10,26 €	10,26 €
	7,59 €	75,90 €
	7,30 €	182,50 €
	6,25 €	625,00 €
	6,12 €	1.530,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	6,12 €	15.300,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VQFN-16
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Corrente di uscita:	8 A
Tensione di alimentazione - Min.:	4.75 V
Tensione di alimentazione - Max.:	5.25 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	LMG2100R026
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Caratteristiche:	Low Power Consumption
Tensione di ingresso - Max:	5.25 V
Tensione di ingresso - Min.:	4.75 V
Sensibili all’umidità:	Yes
Tensione di uscita:	12 V
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	55 ns
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.5 mOhms
Spegnimento:	No Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si

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Scheda dati

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Codici di conformità

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:: Filippine
Paese di diffusione:: Stati Uniti d'America

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Stadio di potenza GaN a mezzo ponte LMG2100R026

Lo stadio di potenza a mezzo ponte GaN LMG2100R026 della Texas Instruments integra driver di gate e FET GaN (Nitruro di Gallio) in modalità ad arricchimento. Lo stadio di potenza a mezzo ponte da 93 V continuo, 100 V impulsivo e 53 A include due FET GaN guidati da un driver di FET GaN ad alta frequenza in configurazione a mezzo ponte. Il driver e i due FET GaN sono montati su una piattaforma di package completamente priva di fili di collegamento, con elementi parassiti del package ridotti al minimo.