transistor PowerGaN E-Mode SGT120R65AL 650 V
La capacità di corrente massima del transistor PowerGaN in E-modeSGT120R65AL 15 A 650 V STMicroelectronics è combinata con una tecnologia di packaging consolidata e una connessione sorgente Kelvin per un pilotaggio ottimale del gate. Il dispositivo G-HEMT risultante fornisce perdite di conduzione estremamente basse, alta capacità di corrente e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire alta densità di potenza ed efficienza imbattibile. SGT120R65AL è disponibile in un package a montaggio superficiale compatto PowerFLAT 5×6 HV standard del settore. Le Applicazioni tipiche includono adattatori per PC, caricabatterie da parete USB e caricamento wireless.
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