MOSFET automotive per piccoli segnali

I MOSFET Nexperia  per autoveicoli a piccolo segnale offrono affidabilità delle prestazioni e piena conformità alle norme AEC-Q101. Nexperia offre un ampio portafoglio di MOSFET per piccoli segnali, con drain-source   resistenza in stato attivo  a partire da 15 mΩ, fino a 6 A di corrente di drain massima e opzioni di tensione drain-source da 20 V a 100 V. Questi dispositivi Nexperia sono offerti in vari tipi di package per flessibilità di progettazione, con opzioni DFN con e senza piombo. 

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Nexperia MOSFET SOT1220 P-CH 20V 5A Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 23.4 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia MOSFET SOT1220 P-CH 30V 4.7A Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4.7 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 26 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia MOSFET SOT1220 N-CH 60V 4.4A Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 Reel
Nexperia MOSFET SOT1220 N-CH 80V 4.1A Tempo di consegna, se non a magazzino 8 settimane
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Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 Reel