Diodi a recupero ultrarapido RFxDNZ

I diodi a recupero ultrarapido RFxDNZ di ROHM Semiconductor  sono diodi di tipo doppio comune   catodico con bassa tensione  diretta e  bassa perdita di commutazione. Questi diodi a recupero includono una struttura di tipo planare epitassiale in silicio. I diodi di recupero RFxDNZ sono memorizzati in un intervallo di temperatura da° -55 °C a 150 °°C. Questi diodi a recupero rapido operano a una temperatura di giunzione di 150 °C e a una corrente inversa di 10 μA. I diodi a recupero ultrarapido RFxDNZ sono ideali per l'uso nella rettifica generale.