NXV08H350XT1

onsemi
863-NXV08H350XT1
NXV08H350XT1

Produttore:

Descrizione:
Moduli MOSFET APM17-MDC MV7 80V ALN

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: Moduli MOSFET
RoHS::  
Si
Through Hole
APM-17
80 V
757 uOhms
- 20 V, + 20 V
2 V
- 40 C
+ 125 C
NXV08H350XT1
Tube
Marchio: onsemi
Configurazione: Half-Bridge
Tempo di caduta: 196 ns
Tipo di prodotto: MOSFET Modules
Tempo di salita: 298 ns
Quantità colli di fabbrica: 40
Sottocategoria: Discrete and Power Modules
Tipo: Automotive Power MOSFET Module
Ritardo di spegnimento tipico: 476 ns
Tipico ritardo di accensione: 298 ns
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Attributi selezionati: 0

CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

Modulo MOSFET NXV08H350XT1

Il modulo MOSFET NXV08H350XT1 onsemi è un modulo MOSFET di potenza da 80 V a doppio semiponte con rilevamento della temperatura per applicazioni ibride medie da 48 V nel settore automotive. Questo modulo MOSFET di potenza bifase è elettricamente isolato con un substrato in rame a tenuta diretta (DBC) per basso Rthjc. Il modulo NXV08H350XT1 presenta un design compatto per garantire una bassa resistenza totale del modulo, mentre il sistema di dimensioni contenute, efficiente e affidabile, riduce il consumo di carburante dei veicoli e le emissioni di CO2. I componenti all’interno del modulo sono qualificati AEC-Q101 (MOSFET) e AEC-Q200 (passivi). Il modulo MOSFET di potenza NXV08H350XT1 è ideale per applicazioni di trazione e inverter da 48 V.