STD80N240K6

STMicroelectronics
511-STD80N240K6
STD80N240K6

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
800 V
16 A
220 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
25.9 nC
- 55 C
+ 150 C
105 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Tipo di prodotto: MOSFETs
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Peso unità: 330 mg
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Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Italia
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

I MOSFET di potenza MDmesh K6 a canale N di STMicroelectronics sono protetti da Zener e sottoposti a test a valanga al 100%. Questi MOSFET di potenza presentano una tensione di rottura drain-source minima di 800 V, una tensione gate-source di ±30 V e un intervallo di temperatura di giunzione operativa compreso tra -55 °C e 150 °C. I MOSFET di potenza MDmesh K6 presentano inoltre una pendenza di tensione di recupero del diodo di picco di 5 V/ns, una pendenza di corrente di recupero del diodo di picco di 100 A/µs e una robustezza MOSFET dv/dt di 120 V/ns. Le applicazioni tipiche includono notebook e AIO, convertitori flyback, adattatori per tablet e illuminazione a LED.

MOSFET di potenza STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6

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Prezzo esteso
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