MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

Il MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X di onsemi offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool). Questo MOSFET presenta una bassa RDS(on)per ridurre al minimo le perdite di conduzione e una bassa QG e capacità elettrica per ridurre al minimo le perdite del driver. Il dispositivo NVBYST0D6N08X di onsemi è qualificato AEC-Q101, con capacità PPAP, senza piombo, senza alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS. Un'applicazione tipica per questo MOSFET è il raddrizzamento sincrono (SR) nei convertitori CC-CC e CA-CC, come interruttore primario in un convertitore CC-CC isolato, negli azionamenti motori e nei sistemi del settore automobilistico a 48 V.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 174A magazzino
1.500In ordine
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Si SMD/SMT TCPAK1012 N-Channel 1 Channel 80 V 767 A 640 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 228 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8)
40520/04/2026 previsto
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: 1.500

Si SMD/SMT DFLPAK-16 N-Channel 1 Channel 80 V 643 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 182 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape