MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

Il MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X di onsemi offre una bassa Q_RR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool). Questo MOSFET presenta una bassa RDS_(on)per ridurre al minimo le perdite di conduzione e una bassa Q_G e capacità elettrica per ridurre al minimo le perdite del driver. Il dispositivo NVBYST0D6N08X di onsemi è qualificato AEC-Q101, con capacità PPAP, senza piombo, senza alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS. Un'applicazione tipica per questo MOSFET è il raddrizzamento sincrono (SR) nei convertitori CC-CC e CA-CC, come interruttore primario in un convertitore CC-CC isolato, negli azionamenti motori e nei sistemi del settore automobilistico a 48 V.