MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V

Central Semiconductor 1700V N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications. These MOSFETs feature a gate-source voltage (VGS) rating of 20V and a continuous drain current (ID) of 37A (CDMS24720-170) or 26A (CDMS24740-170). Both devices have a 28W power dissipation (PD) rating and are packaged in a TO-247 with an operating temperature range of -55°C to 175°C. These Central Semiconductor 1700V SiC MOSFETs support higher breakdown voltage and better thermal conductivity.

Risultati: 2
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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Central Semiconductor MOSFET SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Scheda dati
30A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Central Semiconductor MOSFET SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Scheda dati
30A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 37 A 20 V 2.6 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion