MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3 IXFxN60X

I MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3 IXFxN60X di IXYS sono sviluppati utilizzando un principio di compensazione della carica e una tecnologia di processo proprietaria che fornisce la migliore cifra di merito della categoria (carica del gate con tempi di resistenza in conduzione). Queste caratteristiche si traducono in basse perdite di conduzione e commutazione. Con bassa carica e tempo di recupero inverso, i diodi a corpo sono in grado di rimuovere tutte le energie residue durante la commutazione ad alta velocità per evitare guasti al dispositivo e ottenere un'elevata efficienza. I MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3 IXFxN60X da 600 V sono dotati di capacità a effetto valanga, offrono prestazioni dv/dt superiori e sono resistenti contro i guasti del dispositivo causati da picchi di tensione e accensione accidentale dei transistor bipolari parassiti. Questi dispositivi robusti di IXYS richiedono meno soppressori e possono essere utilizzati sia nei convertitori di potenza a commutazione rigida che graduale.