Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Tipi di Semiconduttori discreti
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Qtà RoHS Tipo di prodotto
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ROHM Semiconductor MOSFET SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1.197In ordine
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Moduli MOSFET 300A SiC Power Module
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3A magazzino
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Diodi Schottky SiC AECQ
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44227/05/2026 previsto
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
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45023/07/2026 previsto
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Moduli a semiconduttori discreti Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
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Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
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Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Moduli a semiconduttori discreti SIC Pwr Module Chopper
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Tempo di consegna 27 settimane
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Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Moduli MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge
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Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Diodi Schottky SiC DIODE: 8A 600V
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MouseReel disponibile
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor MOSFET SiC 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
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Tempo di consegna, se non a magazzino 27 settimane
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Diodi Schottky SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
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Tempo di consegna, se non a magazzino 21 settimane

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2