Combo-FET

I Combo-FET di onsemi sono dispositivi rivoluzionari che combinano un JFET SiC di onsemi con una bassa RDS(on) con un MOSFET Si in un unico package compatto. Progettati espressamente per applicazioni di protezione a bassa frequenza, come interruttori di circuito a stato solido, disconnessioni della batteria e protezione da sovratensione, questi Combo-FET consentono agli utenti di accedere al gate del JFET per ottimizzare la progettazione. L'integrazione del MOSFET Si in questi Combo-FET di onsemi garantisce una soluzione normalmente disattivata, ottenendo una riduzione delle dimensioni superiore al 25% rispetto alle implementazioni discrete.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Configurazione Vds - Tensione di rottura drain-source Vgs - Tensione di rottura gate-source Corrente drain-source a Vgs=0 Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione
onsemi JFET UG4SC075005L8S 1.793A magazzino
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Nastrati: 2.000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4 577A magazzino
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Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4 627A magazzino
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4 345A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4 558A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube