MOSFET di potenza NexFET™ CSD25402Q3A

Il MOSFET di potenza CSD25402Q3A NexFET™ di Texas Instruments è un MOSFET a canale p da 20 V progettato per ridurre al minimo le perdite nelle applicazioni di gestione del carico di conversione di potenza. Il CSD25402Q3A di Texas Instruments è disponibile in un package SON da 3,3 mm × 3,3 mm che offre eccellenti prestazioni termiche per le sue dimensioni. Le applicazioni tipiche sono convertitori CC-CC, gestione delle batterie, interruttori di carico e protezione delle batterie.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione

Texas Instruments MOSFET P-CH Pwr MOSFET
Scheda dati
13.498A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 8.9 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 7.5 nC - 55 C + 125 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET #NAME?
Scheda dati
6.445A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 250

Si SMD/SMT SON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 300 mOhms - 12 V, 12 V 1.15 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel