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LM74800EVM-CS

Name: Texas Instruments LM74800EVM-CS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LM74800EVM-CS
Price: 99.5 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-LM74800EVM-CS

N. produttore:

LM74800EVM-CS

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione LM7480-Q1 ideal diod e controller evalua

Scheda dati:

LM74800EVM-CS Scheda dati

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Maggiori informazioni su Texas Instruments LM74800EVM-CS

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione
RoHS::
Prodotto:	Evaluation Modules
Tipo:	Ideal Diode
Tensione di ingresso:	3 V to 65 V
Tensione di uscita:	3 V to 37.5 V
Strumento per la valutazione di:	LM7480-Q1
Serie:	LM74800-CS
Marchio:	Texas Instruments
Tipo di interfaccia:	USB
Corrente di uscita:	2 A, 2.5 A
Tipo di prodotto:	Power Management IC Development Tools
Quantità colli di fabbrica:	1
Sottocategoria:	Development Tools

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STANDARD TERMS FOR EVALUATION MODULES (PDF)

TARIC:: 8473302000
USHTS:: 9030890100
ECCN:: EAR99

Modulo di valutazione del controller LM74800EVM-CS

Il modulo di valutazione (EVM) del controller LM74800EVM-CS di Texas Instruments aiuta i progettisti a valutare il funzionamento e le prestazioni del controller a diodo ideale con uscita commutata LM74800-Q1. Il controller LM74720-Q1 di Texas Instruments aziona e controlla i MOSFET esterni a canale N back-to-back per emulare un raddrizzatore a diodi ideali con controllo ON/OFF del percorso di alimentazione e protezione da sovratensione. LM74800EVM-CS di Texas Instruments dimostra come LM74800-Q1, insieme a due MOSFET a canale N back-to-back configurati nella topologia di sorgente comune, possa fornire una protezione da assorbimento di carico senza soppressione di 200 V con protezione della batteria inversa nel circuito a valle. Il primo gate drive HGATE controlla un MOSFET a canale N esterno per disattivare o bloccare la tensione di uscita a un livello di sicurezza accettabile. Il DGATE del secondo gate drive controlla un altro MOSFET a canale N esterno per emulare un diodo ideale.