QPD2018D

Qorvo
772-QPD2018D
QPD2018D

Produttore:

Descrizione:
Transistor RF JFET 0.18 mm Pwr pHEMT

Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 200

A magazzino:
200 Spedizione immediata
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
20 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 100   Multipli: 100
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:
Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastrati completa (ordinare in multipli di 100)
9,93 € 993,00 €

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Qorvo
Categoria prodotto: Transistor RF JFET
RoHS::  
pHEMT
GaAs
14 dB
SMD/SMT
0.41 mm x 0.34 mm
Reel
Marchio: Qorvo
NF - Cifra di rumore: 1 dB
Tipo di prodotto: RF JFET Transistors
Serie: QPD2018D
Quantità colli di fabbrica: 100
Sottocategoria: Transistors
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99

Filiera pHEMT GaAs discreta da 180 um QPD2018D

La filiera pHEMT GaAs discreta da 180 um QPD2018D di Qorvo utilizza il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo. Questo processo comprovato presenta tecniche avanzate per ottimizzare la potenza a microonde e l'efficienza in condizioni di funzionamento a polarizzazione di drain elevata.