MOSFET di potenza a singolo canale N NVMFS015N10MCL

I MOSFET di potenza a canale N singolo di Onsemi NVMFS015N10MCL sono progettati per progetti compatti ed efficienti, con prestazioni termiche elevate. Questi MOSFET offrono una bassa resistenza drain-to-source (RDS(on)) per minimizzare le perdite di conduzione e una bassa carica di gate (QG)/capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver. I MOSFET NVMFS015N10MCL Onsemi sono qualificati AEC-Q101 e supportano PPAP. Questi MOSFET sono disponibili in un piccolo package DFN5 con piedini piatti di dimensioni 5 mm x 6 mm. Le applicazioni tipiche includono la protezione inversa della batteria nei driver a solenoide, gli interruttori di potenza (driver lato alto, driver lato basso e ponti H) nel controllo del motore e gli alimentatori di commutazione.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
onsemi MOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET 17A magazzino
10.500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 47.1 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 175 C 59.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE FLANK FOR AUTOMOTIVE MARKET 1.012A magazzino
1.22413/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape, MouseReel