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BSC010NE2LS

Name: Infineon BSC010NE2LS
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC010NE2LS
Price: 0.5 EUR
Availability: Discontinued

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
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N. Mouser:

726-BSC010NE2LS

N. produttore:

BSC010NE2LS

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

BSC010NE2LS Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TDSON-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	25 V
Id - corrente di drain continua:	100 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.2 V
Qg - Carica del gate:	64 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	96 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	OptiMOS
Confezione:	Reel
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4.4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	85 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	34 ns
Tipico ritardo di accensione:	6.7 ns
Alias n. parte:	BSC1NE2LSXT SP000776124 BSC010NE2LSATMA1
Peso unità:	110 mg

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Austria
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Austria

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

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