NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules

onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules feature high efficiency and superior reliability. The NXH100B120H3Q0 integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction and switching losses. onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules are ideal for energy storage systems, solar inverters, and uninterruptible power supply (UPS) applications.

Tipi di Semiconduttori discreti
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Qtà RoHS Tipo di prodotto
Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
onsemi Moduli IGBT PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)
Scheda dati
28A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Moduli a semiconduttori discreti PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
Scheda dati
24A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
onsemi Moduli IGBT PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM)
Scheda dati
96Disponibile a magazzino presso produttore
Altre informazioni disponibili
Min: 24
Mult.: 24

IGBT Modules SiC Press Fit Q0BOOST
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Moduli a semiconduttori discreti PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Scheda dati
480Disponibile a magazzino presso produttore
Altre informazioni disponibili
Min: 24
Mult.: 24
Discrete Semiconductor Modules Si