STGWA75H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA75H65DFB2
STGWA75H65DFB2

Produttore:

Descrizione:
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
115 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marchio: STMicroelectronics
Corrente di perdita gate-emettitore: 250 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 600
Sottocategoria: IGBTs
Peso unità: 6,100 g
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

IGBT HB2 STGWA75H65DFB2

L'IGBT HB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics è un'evoluzione dell'avanzata struttura proprietaria field-stop trench gate. La serie HB2 ottimizza la conduzione con VCE(sat) premium a bassi valori di corrente e minore energia di commutazione. L'IGBT HB2 STGWA75H65DFB2 presenta un basso VCE(sat) di 1,55 V (tip.) a un IC di 75 A.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

A magazzino: 384

A magazzino:
384 Spedizione immediata
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
22 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
4,96 € 4,96 €
3,25 € 32,50 €
2,40 € 240,00 €
1,90 € 1.140,00 €

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