MOSFET di potenza a canale N doppio NTJD5121N/NVJD5121N

I MOSFET di potenza a canale N doppio NTJD5121N/NVJD5121N di onsemi presentano RDS (on), soglia del gate e capacità di ingresso bassi. I MOSFET NTJD5121N/NVJD5121N onsemi presentano una tensione drain-source di 60 V e una corrente di drain continua massima di 295 A. Gli NTJD5121N/NVJD5121N sono qualificati AEC-Q101 e supportano PPAP, ideali per applicazioni nel settore automobilistico.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
onsemi MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
Scheda dati
192.676A magazzino
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Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
Scheda dati
19.798A magazzino
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Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
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26.340A magazzino
12.00018/09/2026 previsto
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Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
Scheda dati
30.171A magazzino
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Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel