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AIKBE50N65RF5ATMA1

Name: Infineon AIKBE50N65RF5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIKBE50N65RF5ATM
Price: 8.02 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-AIKBE50N65RF5ATM

N. produttore:

AIKBE50N65RF5ATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

IGBTs SIC_DISCRETE

Scheda dati:

AIKBE50N65RF5ATMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	8,02 €	8,02 €
	5,50 €	55,00 €
	4,43 €	443,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	3,76 €	3.760,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	SiC
Package/involucro:	TO263-3
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	2.03 V
Tensione gate-emettitore massima:	4.8 V
Pd - Dissipazione di potenza:	326 W
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Corrente continua di collettore Ic max:	50 A
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	IGBTs
Nome commerciale:	CoolSiC
Alias n. parte:	AIKBE50N65RF5 -

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT ibridi CoolSiC™

Gli IGBT ibridi CoolSiC™ di Infineon Technologies combinano un IGBT a commutazione rapida (transistor bipolare a porta isolata) 650 V TRENCHSTOP ™ con un diodo SCHOTTKY CoolSiC™. Questi dispositivi sono ottimizzati per consentire un aumento delle prestazioni economicamente conveniente per applicazioni per il settore automotive a commutazione rapida.