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DMN2992UFA-7B

Name: Diodes Incorporated DMN2992UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2992UFA-7B
Price: 0.12 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

621-DMN2992UFA-7B

N. produttore:

DMN2992UFA-7B

Produttore:

Diodes Incorporated

Descrizione:

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

DMN2992UFA-7B Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 10000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,129 €	0,13 €
	0,086 €	0,86 €
	0,054 €	5,40 €
	0,034 €	17,00 €
	0,03 €	30,00 €
	0,027 €	67,50 €
	0,022 €	110,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 10000)
	0,019 €	190,00 €
	0,017 €	340,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diodes Incorporated
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	X2-DFN0806-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	520 uA
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	990 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	410 pC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	410 mW
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Diodes Incorporated
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Quantità colli di fabbrica:	10000
Sottocategoria:	Transistors

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Scheda dati

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DMN2992UFA 20 V MOSFET in modalità di miglioramento N-Ch

Il MOSFET N-Ch modalità di miglioramento di Diodes Incorporated DMN2992UFA 20 V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (R_DS(ON)). Il MOSFET offre prestazioni di commutazione superiori, rendendolo ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza. Il MOSFET Diodes Inc. DMN2992UFA è disponibile in un packageX2-DFN0806-3 con un a basso profilo e un'altezza di 0,04 mm.