ZXTP56020FDBQ-7

Diodes Incorporated
621-ZXTP56020FDBQ-7
ZXTP56020FDBQ-7

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT 20V DUAL PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Diodes Incorporated
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
Si
SMD/SMT
UDFN6
PNP
Dual
2 A
20 V
20 V
7 V
390 mV
2.47 W
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
ZXTP56020FDBQ
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Diodes Incorporated
Corrente continua collettore: - 2 A
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: CN
Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 100
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Peso unità: 6,500 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

ZXTP56020FDBQ Bipolar Transistor

Diodes Inc. ZXTP56020FDBQ Bipolar Transistor is a 20V dual PNP configuration Bipolar Junction Transistor (BJT) in a compact and low profile U-DFN2020-6 SWP package. This BJT is qualified to AEC-Q101 standards for high reliability. The ZXTP56020FDBQ transistor features -20V collector to emitter breakdown voltage (BVCEO) and -2A high continuous collector current. This bipolar transistor offers power dissipation up to 2.47W for power-demanding applications. The ZXTP56020FDBQ BJT operates within -55°C to 150°C temperature range and provides less than -150mV low saturation voltage @ -1A. Typical applications include matrix LED lighting and power management.