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PSMB033N10NS2_R2_00201

Name: Panjit PSMB033N10NS2_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PSMB033N10NS2R22
Price: 4.11 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

241-PSMB033N10NS2R22

N. produttore:

PSMB033N10NS2_R2_00201

Produttore:

Panjit

Descrizione:

MOSFET 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

PSMB033N10NS2_R2_00201 Scheda dati (PDF)

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,11 €	4,11 €
	2,72 €	27,20 €
	2,12 €	212,00 €
	1,89 €	945,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)
	1,61 €	1.288,00 €
	1,52 €	3.648,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Panjit
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-263AB-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	219 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.8 V
Qg - Carica del gate:	65 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	333 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Panjit
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4.9 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4.9 ns
Serie:	PSM
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	24.7 ns
Tipico ritardo di accensione:	15.5 ns
Peso unità:	1,400 g

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Scheda dati

PSMB033N10NS2_R2_00201 Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET features a high switching speed and low reverse transfer capacitance. The PANJIT PSMB033N10NS2 is housed in a TO-263AB-L package. The device is ideal for battery management systems in industrial applications and is compliant with IEC 61249 and EU RoHS 2.0 standards, using a Green molding compound.

80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.