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IRFB4020PBF

Name: Infineon IRFB4020PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRFB4020PBF
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

942-IRFB4020PBF

N. produttore:

IRFB4020PBF

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

Scheda dati:

IRFB4020PBF Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,55 €	1,55 €
	0,587 €	5,87 €
	0,586 €	58,60 €
	0,507 €	253,50 €
	0,475 €	475,00 €
	0,449 €	898,00 €
	0,442 €	2.210,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	200 V
Id - corrente di drain continua:	18 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	100 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Qg - Carica del gate:	18 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	100 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	6.3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	24 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	12 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	16 ns
Tipico ritardo di accensione:	7.8 ns
Peso unità:	2 g

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Spice Model - IRFB4020PBF

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Infineon pioneered HEXFET power MOSFET technology, developing and introducing the first hexagonal topology MOSFETs in 1979. These developments were granted a broad patent just four years later, and since that time, most MOSFET manufacturers have licensed the designs and processes to enter this marketplace. IR products exhibit the lowest MOSFET on-resistance available on the market for similar components in their class, enabling power conversion subsystem designs that exhibit unequaled efficiency. IR combines state-of-the-art silicon technology with innovative packaging technology. IR POWIRTAB™, Super-220™, and Super-247™ packages allow up to 20A more current per device in the same footprint than standard packages, increasing power density. Compatible with standard surface-mount soldering techniques, IR's FlipFET® packaging technology offers a 100% silicon-to-footprint ratio with the same performance as a conventional package three times as big, making it the ideal solution for portable devices such as phones or notebook PCs. IR's DirectFET® packaging revolutionizes thermal management in the footprint of a standard SO-8 by drawing heat away from the board through the top of the package. As a result, DirectFET MOSFETs can double the current density while cutting thermal management costs in half in high-current circuits that power next-generation microprocessors.

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.