NCV5703DDR2G

onsemi
863-NCV5703DDR2G
NCV5703DDR2G

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH ENABLE PIN

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
IGBT Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-8
1 Driver
1 Output
36 V
Non-Inverting
9.2 ns
7.9 ns
- 40 C
+ 125 C
NCV5703
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Tensione di ingresso - Max: 36 V
Ritardo di spegnimento massimo: 75 ns
Ritardo di accensione massimo: 75 ns
Corrente di alimentazione operativa: 900 mA
Pd - Dissipazione di potenza: 700 mW
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Spegnimento: Shutdown
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: Si
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Attributi selezionati: 0

USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

Driver di porta IGBT NCV5703D

il driver di porta NCV5703D IGBT onsemi è dotato di un driver IGBT autonomo ad alta corrente e ad alte prestazioni per applicazioni ad alta potenza.    Questo driver NCV5703D è progettato per supportare un’ampia gamma di tensioni di alimentazione di polarizzazione, comprese tensioni unipolari e bipolari. Il driver IGBT è dotato di blocco di sottotensione (UVLO), protezione da desaturazione (DESAT) e uscita FAULT a drain aperto attivo.    Questo NCV5703D abilita la funzione per il controllo dell’uscita del driver tramite segnale esterno. Le applicazioni tipiche includono inverter solari, controllo motori, gruppi di continuità (UPS), arresto rapido per sistemi fotovoltaici, inverter CC-CA, caricabatterie e riscaldatori PTC.