MOSFET di potenza REXFET-1 da 100 V e 150 V

I MOSFET di potenza REXFET-1 da 100 V e 150 V di Renesas Electronics implementano la tecnologia split-gate, che riduce significativamente la RDSON e la Figura di Merito, ideale per applicazioni a corrente elevata. I dispositivi sono disponibili nei package TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing) e TOLT (TO raffreddato dall’alto) per prestazioni termiche eccezionali e massima capacità di potenza. Inoltre, i MOSFET sono disponibili in package con fianchi bagnabili per prestazioni eccellenti delle giunzioni di saldatura. I MOSFET REXFET-1 sono qualificati AEC-Q100 con supporto PPAP per applicazioni per il settore automobilistico.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT
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Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL
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Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
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GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
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GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
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GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
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GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg
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GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel