SIR873DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIR873DP-T1-GE3
SIR873DP-T1-GE3

Produttore:

Descrizione:
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Modello ECAD:
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0,658 € 658,00 €
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0,589 € 1.767,00 €
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
1 Channel
150 V
37 A
39.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Vishay Semiconductors
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 9 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 7 ns
Serie: SIR
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Ritardo di spegnimento tipico: 28 ns
Tipico ritardo di accensione: 15 ns
Peso unità: 506,600 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SIR873DP 150V P-Channel TrenchFET® Power MOSFET

Vishay / Siliconix SIR873DP SIR873DP 150V P-Channel TrenchFET® Power MOSFET provides low on-resistance that minimizes power loss from conduction. This device is available in a single-configuration PowerPAK® package. Vishay / Siliconix SIR873DP SIR873DP 150V P-Channel TrenchFET Power MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. Typical applications include load switches, active clamps in DC/DC power supplies, battery protection, and motor drive control.