MOSFET T10 a bassa/media tensione

I MOSFET T10 a bassa/media tensione di Onsemi sono MOSFET di potenza a canale N singolo nelle categorie 40 V e 80 V con prestazioni migliorate, efficienza di sistema migliorata e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza presentano bassi RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e bassa capacità elettrica per ridurre al minimo le perdite driver. I MOSFET a bassa/media tensione T10 offrono un QRR ridotto e un diodo di recupero di corpo morbido. Questi MOSFET sono conformi alla normativa RoHS e sono senza piombo e senza alogeni/BFR. Le applicazioni tipiche includono il raddrizzamento sincrono (SR) nei convertitori CC-CC e CA-CC, l'interruttore principale in convertitori CC-CC isolati, la protezione della batteria e gli azionamenti motori.

Risultati: 6
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, T10M, DFN5, 5x6, SO-8FL, 40 V, 1.8 mohm, 151 A40 V, 1.65 m, 154 A
Scheda dati
772A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.65 mOhms 20 V 3.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, Logic Level, u8FL, 80V, 5.3mohm, 79 A
Scheda dati
888A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT WSFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 79 A 5.3 mOhms 20 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1.1 m, 299 A
Scheda dati
2.00027/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT H-PSOF-8L N-Channel 1 Channel 80 V 299 A 1.1 mOhms 20 V 3.6 V 120 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single N-Channel, T10M, DFN5, STD Gate, SO-8FL 40 V, 4.0 mohm, 77 A
Scheda dati
1.50017/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.9 mOhms 20 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate, SO-8FL, 80 V, 4.5 mohm, 94 A
Scheda dati
1.50024/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 4.5 mOhms 20 V 3.6 V 15 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate, SO8FL, 80 V, 6.2 mohm, 73 A
Scheda dati
1.50017/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 73 A 6.2 mOhms 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape