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NVMFWS002N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS002N10MCLT1G
Price: 3.65 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-MFWS002N10MCLT1G

N. produttore:

NVMFWS002N10MCLT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL HE

Scheda dati:

NVMFWS002N10MCLT1G Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,65 €	3,65 €
	2,40 €	24,00 €
	1,69 €	169,00 €
	1,55 €	775,00 €
	1,44 €	1.440,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	1,44 €	2.160,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	177 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	97 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	164 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Tempo di caduta:	105 ns
Transconduttanza diretta - Min:	200 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	30 ns
Serie:	NVMFWS002N10MC
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	250 ns
Tipico ritardo di accensione:	24 ns

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Scheda dati

NVMFWS002N10MCLT1G Scheda dati

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFWS002N10MCL

I MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFWS002N10MCL di onsemi presentano una corrente di drain continua 177 A, 2,8 mΩ a 10 V R_{DS (ON)} e tensione drain-source 100 V. L’NVMFWS002N10MCL è disponibile in un package con conduttori piatti da 5 mm x 6 mm sviluppato per progetti compatti ed efficienti. Il MOSFET qualificato AEC-Q101 onsemi è compatibile con PPAP e ideale per applicazioni automobilistiche.